Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE66219-T1-A
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE66219
NE66219-T1-A Hakkında
NE66219-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 21GHz transition frequency ve 3.3V maksimum collector-emitter gerilimi ile RF uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-523 yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 1.2dB noise figure performansı ve 14dB kazanç ile küçük sinyal RF amplifikasyon devrelerinde, özellikle 2GHz civarındaki frekans bantlarında kullanılır. 35mA maksimum collector akımı ve 115mW güç yeteneği ile düşük gücün gerekli olduğu portatif RF haberleşme ekipmanları, sensör devreler ve entegre alıcı tasarımlarında uygulama bulur. Obsolete durumdaki bileşen, arşiv tasarımları ve bakım çalışmaları için önem taşımaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 2V |
| Frequency - Transition | 21GHz |
| Gain | 14dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 115mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok