Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE66219-A
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE66219
NE66219-A Hakkında
NE66219-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 21GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.3V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük voltaj devrelerinde kullanılır. SOT-523 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 1.2dB noise figure (@ 2GHz) ve 14dB kazanç özellikleriyle RF amplifikatör, osilatör ve anahtarlama devreleri tasarımlarında yer alır. Maksimum 35mA collector akımı ve 115mW güç disipasyonu kapasitesi ile kompakt RF ön uç devrelerine integre edilebilir. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 2V |
| Frequency - Transition | 21GHz |
| Gain | 14dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 115mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.3V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok