Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE651R479A-T1-A
N-CHANNEL 8V 1A GAAS HFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE651R479A
NE651R479A-T1-A Hakkında
NE651R479A-T1-A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel GaAs HFET (Heterostructure Field Effect Transistor) transistördür. 1.9GHz frekans aralığında çalışan bu RF transistörü, 8V nominal gerilim ve 1A akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 12dB kazanç ve 27dBm çıkış gücü özellikleriyle mobil haberleşme, radyo frekans amplifikatörleri ve RF alıcı uygulamalarında kullanılır. 4-SMD flat leads paket türüne sahip olan bileşen, kompakt PCB tasarımları için uygun olup, şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 50 mA |
| Current Rating (Amps) | 1A |
| Frequency | 1.9GHz |
| Gain | 12dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 27dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 3.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok