Transistörler - FET, MOSFET - RF

NE6510179A-T1-A

FET RF 8V 1.9GHZ 79A

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
NE6510179A

NE6510179A-T1-A Hakkında

NE6510179A-T1-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen Heterojunction FET (HFET) RF transistörüdür. 1.9GHz frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmış bu bileşen, 8V nominal çalışma voltajında 2.8A akım kapasite sunmaktadır. 10dB kazanç ve 32.5dBm çıkış gücü özellikleri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. Test koşullarında 3.5V voltaj ve 200mA akımda karakterize edilmiştir. 4-SMD flat lead paket tipinde sunulan komponent, GSM/PCS gibi mobil haberleşme frekans bandlarında RF front-end ve power amplifier devrelerinde uygulama bulmuştur. Ürün güncel üretimden sonlandırılmış (obsolete) olup, arşiv ve restorasyonu projeleri için referans olarak kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 200 mA
Current Rating (Amps) 2.8A
Frequency 1.9GHz
Gain 10dB
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Power - Output 32.5dBm
Supplier Device Package 79A
Transistor Type HFET
Voltage - Rated 8 V
Voltage - Test 3.5 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok