Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE6510179A-A
FET RF 8V 1.9GHZ 79A
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE6510179A
NE6510179A-A Hakkında
NE6510179A-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen RF HFET transistörüdür. 1.9GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 8V nominal gerilim ile 2.8A akım kapasitesine sahiptir. 10dB kazanç ve 32.5dBm çıkış gücü karakteristiğiyle tasarlanmıştır. 4-SMD, Flat Leads paketlemesiyle sunulan bileşen, mobil iletişim sistemleri, RF güç amplifikatörleri ve 1.9GHz bant uygulamalarında kullanılır. Test koşullarında 200mA akım ve 3.5V gerilim sağlanmıştır. Obsolete durumda olan bileşenin yerine yeni tasarımlarda alternatif çözümler göz önünde bulundurulmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 200 mA |
| Current Rating (Amps) | 2.8A |
| Frequency | 1.9GHz |
| Gain | 10dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 32.5dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Voltage - Test | 3.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok