Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NE58219-T1-A
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE58219
NE58219-T1-A Hakkında
NE58219-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN silikon amplifikatör ve osilatör transistörüdür. RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmış bu komponent, 5GHz transition frequency ile yüksek frekans çalışmalarına uygun özelliklere sahiptir. 60mA maksimum collector akımı, 5dB gain ve 100mW maksimum güç özelliği ile taşıyıcı sinyallerin amplifikasyonu, RF sinyal işleme ve osilatör devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 125°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanır. 12V Vce(br) ile orta düzey gerilim uygulamalarında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Gain | 5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | SC-75 (USM) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok