Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE5550979A-T1-A
RF N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 79A
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE5550979A
NE5550979A-T1-A Hakkında
NE5550979A-T1-A, Rochester Electronics tarafından üretilen RF N-Channel Power MOSFET transistörüdür. LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) teknolojisine dayanan bu bileşen, 900MHz frekans bandında çalışmaya uygun olarak tasarlanmıştır. 30V nominal gerilim ile 3A akım kapasitesine sahiptir. 22dB kazanç ve 38.6dBm çıkış gücü özellikleriyle RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Mobilya iletişim sistemleri, wireless transmitter modülleri ve RF power amplifier tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir. 79A kasa tipinde paketlenmiştir. Bileşen üretim döngüsü sona ermiş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 200 mA |
| Current Rating (Amps) | 3A |
| Frequency | 900MHz |
| Gain | 22dB |
| Package / Case | 79A |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 38.6dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 30 V |
| Voltage - Test | 7.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok