Transistörler - FET, MOSFET - RF

NE5550979A-A

FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
NE5550979A

NE5550979A-A Hakkında

NE5550979A-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen LDMOS tipinde bir RF FET transistörüdür. 900MHz frekansında çalışacak şekilde tasarlanan bu bileşen, 30V nominal çalışma gerilimi ve 3A akım kapasitesi ile RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 22dB kazanç ve 38.6dBm çıkış gücü özellikleri ile mobil iletişim, kablosuz haberleşme ve broadcast sistemlerinde RF ön ucu ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 4-SMD Flat Leads paket tipi ile yüksek frekans PCB tasarımlarına entegre edilir. Bileşen üretime alınmamaktadır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 200 mA
Current Rating (Amps) 3A
Frequency 900MHz
Gain 22dB
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Power - Output 38.6dBm
Supplier Device Package 79A
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 30 V
Voltage - Test 7.5 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok