Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE5550779A-T1-A
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE5550779A
NE5550779A-T1-A Hakkında
NE5550779A-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF FET transistördür. 900MHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanan bu bileşen, 30V nominal işletme gerilimi ve 2.1A akım kapasitesi ile RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 22dB kazanç ve 38.5dBm çıkış gücü ile mobil iletişim, veri haberleşmesi ve endüstriyel RF sistemlerinde sinyal güçlendirme görevini yerine getirir. 4-SMD flat leads paket yapısı kompakt tasarımları destekler. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 140 mA |
| Current Rating (Amps) | 2.1A |
| Frequency | 900MHz |
| Gain | 22dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 38.5dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 30 V |
| Voltage - Test | 7.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok