Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE5550779A-T1-A
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE5550779A
NE5550779A-T1-A Hakkında
NE5550779A-T1-A, Rochester Electronics tarafından üretilen RF Power N-Channel LDMOS transistördür. 900MHz frekansında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 30V ile çalışabilen bu bileşen, 38.5dBm çıkış gücü ve 22dB kazanç sağlar. 2.1A akım kapasitesine sahip transistör, RF güç amplifikasyonu uygulamalarında, özellikle endüstriyel ve haberleşme sistemlerinde kullanılır. 4-SMD flat leads paketinde sunulmuştur. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 140 mA |
| Current Rating (Amps) | 2.1A |
| Frequency | 900MHz |
| Gain | 22dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 38.5dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 30 V |
| Voltage - Test | 7.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok