Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE5550779A-A
FET RF 30V 900MHZ 79A
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE5550779A
NE5550779A-A Hakkında
NE5550779A-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) tipi RF transistörüdür. 900 MHz frekansında çalışmak üzere tasarlanmış bu FET komponenti, 30V nominal çalışma gerilimi ile RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 2.1A akım kapasitesi ve 22dB kazanç özelliğine sahiptir. 38.5dBm çıkış gücü seviyesi ile mobil iletişim, broadcast ve endüstriyel RF sistemlerinde yer alır. 4-SMD flat lead paketinde sunulan bileşen, yüksek frekans entegre devre tasarımlarında RF sinyal işleme ve güç yönetimi işlevlerini yerine getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 140 mA |
| Current Rating (Amps) | 2.1A |
| Frequency | 900MHz |
| Gain | 22dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 38.5dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 30 V |
| Voltage - Test | 7.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok