Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE55410GR-T3-AZ
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 28-VFQFN Dual Rows
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE55410GR
NE55410GR-T3-AZ Hakkında
NE55410GR-T3-AZ, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç LDMOS transistörüdür. N-channel yapısıyla tasarlanmış bu bileşen, 2.14GHz frekans bandında çalışmak üzere optimize edilmiştir. 65V nominal gerilim derecesi ve 28V test geriliminde 20mA test akımı ile karakterize edilen bu transistör, 35.4dBm çıkış gücü sağlar. 13.5dB kazanç değeri ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250mA-1A akım derecesi ile mobil haberleşme, radyo frekans ve kablosuz iletişim cihazlarında yaygın olarak uygulanmaktadır. 16-HTSSOP paket tipi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu sağlar. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 20 mA |
| Current Rating (Amps) | 250mA, 1A |
| Frequency | 2.14GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Package / Case | 16-DFF, Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 35.4dBm |
| Supplier Device Package | 16-HTSSOP |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok