Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE5520379A-T1A-A
SILICON MEDIUM POWER LDMOSFET, R
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE5520379A
NE5520379A-T1A-A Hakkında
NE5520379A-T1A-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen orta güç LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. 915MHz frekansında çalışmak üzere tasarlanan bu komponent, 35.5dBm çıkış gücü ve 16dB kazanç sağlar. 1.5A akım kapasitesi ile 15V nominal gerilim değerinde çalışan bu transistör, wireless haberleşme sistemleri, endüstriyel ISM band uygulamaları ve RF güç amplifikatörlerinde kullanılır. 4-SMD flat lead paketinde sunulan komponent, kompakt tasarımlar için uygun olup yüksek frekans performansı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. (Üretim durdurulmuş - Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current Rating (Amps) | 1.5A |
| Current - Test | 600 mA |
| Frequency | 915MHz |
| Gain | 16dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 35.5dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 15 V |
| Voltage - Test | 3.2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok