Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE5511279A-T1-A
FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE5511279A
NE5511279A-T1-A Hakkında
NE5511279A-T1-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 900MHz frekans bandında çalışmaya tasarlanmış bu bileşen, 20V nominal gerilim ve 3A akım kapasitesi ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 15dB kazanç ve 40dBm çıkış güç seviyesi ile mobil haberleşme, telsiz sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yer alan devre tasarımlarında tercih edilir. 4-SMD flat leads paketlemesiyle yüzey montajı yapılmaktadır. Ürün kullanım dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 400 mA |
| Current Rating (Amps) | 3A |
| Frequency | 900MHz |
| Gain | 15dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 40dBm |
| Supplier Device Package | 79A |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 20 V |
| Voltage - Test | 7.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok