Transistörler - FET, MOSFET - RF

NE4210S01

HJ-FET 13DB S01

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
NE4210S01

NE4210S01 Hakkında

NE4210S01, California Eastern Laboratories tarafından üretilen bir HFET (Heterojunction Field Effect Transistor) transistördür. 12 GHz'e kadar çalışan bu bileşen, RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 13 dB kazanç ve 0.5 dB gürültü figürü ile düşük gürültülü sinyal amplifikasyon işlemleri gerçekleştir. Maksimum 15 mA akım değeri ve 4 V çalışma gerilimi ile tasarlanmış olup, 4-SMD paket içinde sunulur. Test koşullarında 10 mA akımda 2 V gerilimde çalıştırılmaktadır. Yüksek frekanslı haberleşme sistemleri, radar ve uydu iletişim cihazlarında kullanılan bu transistör günümüzde üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 10 mA
Current Rating (Amps) 15mA
Frequency 12GHz
Gain 13dB
Noise Figure 0.5dB
Package / Case 4-SMD
Part Status Obsolete
Supplier Device Package SMD
Transistor Type HFET
Voltage - Rated 4 V
Voltage - Test 2 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok