Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3521M04-A
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3521M04
NE3521M04-A Hakkında
NE3521M04-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen N-Channel GaAs HJ-FET transistördür. 20GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmış bu bileşen, düşük gürültü figürü (0.85dB) ve 10.5dB kazanç ile RF ön uç amplifikatörleri, LNA (Low Noise Amplifier) devreleri ve yüksek frekanslı sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 3V dereceli voltaj ile 15mA akım kapasitesine sahip olan transistör, 4-SMD düz bacak paketi içinde sunulur. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 6 mA |
| Current Rating (Amps) | 15mA |
| Frequency | 20GHz |
| Gain | 10.5dB |
| Noise Figure | 0.85dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Transistor Type | N-Channel |
| Voltage - Rated | 3 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok