Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3520S03-T1C-A
RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3520S03
NE3520S03-T1C-A Hakkında
NE3520S03-T1C-A, Rochester Electronics tarafından üretilen K-band HFET (Heterostructure Field Effect Transistor) RF transistörüdür. Gallium Arsenide (GaAs) tabanlı bu bileşen, 20GHz'e kadar çalışma frekansında 13.5dB kazanç sağlamaktadır. 70mA akım kapasitesi ve 4V nominal çalışma voltajı ile RF güç amplifikasyonu, düşük gürültülü yükselteç ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. 4-SMD yassı uçlu kasa ile PCB entegrasyonu için uygun olan bu transistör, uydu haberleşmesi, radar sistemleri ve WLAN uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 20GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | 4-SMD |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok