Transistörler - FET, MOSFET - RF

NE3517S03-T1C-A

FET RF 4V 20GHZ S03

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
NE3517

NE3517S03-T1C-A Hakkında

NE3517S03-T1C-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen yüksek frekans FET (HFET) transistörüdür. 20GHz'e kadar frekans aralığında çalışabilen bu RF transistörü, 4V nominal voltajda ve 15mA akım kapasitesinde tasarlanmıştır. 13.5dB kazanç ve 0.7dB gürültü şekli değerleri ile düşük gürültüye sahip RF uygulamaları için uygundur. S03 paket tipinde SMD flatli kurulu yapısıyla yoğun PCB tasarımlarında kullanılabilir. Mikrodalga amplifikatörleri, RF ön aşamalar, düşük gürültülü yükselteciler ve entegre RF devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 10 mA
Current Rating (Amps) 15mA
Frequency 20GHz
Gain 13.5dB
Noise Figure 0.7dB
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Supplier Device Package S03
Transistor Type HFET
Voltage - Rated 4 V
Voltage - Test 2 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok