Transistörler - FET, MOSFET - RF

NE3517S03-T1C-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
NE3517

NE3517S03-T1C-A Hakkında

NE3517S03-T1C-A, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-channel MOSFET'tir. HFET teknolojisine dayanan bu RF transistörü, 20GHz'e kadar yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 13.5dB kazanç ve 0.7dB gürültü şekli ile düşük gürültü amplifikatör (LNA) ve RF ön uç devreleri için uygun özelliklere sahiptir. 4V nominal çalışma gerilimi ve 15mA maksimum akım derecelendirmesi ile kompakt SMD paketlemesinde sunulur. 4-SMD Flat Leads kasa tipi sayesinde yüksek frekans PCB tasarımlarına entegrasyonu kolaylaştırır. Haberleşme, radar ve test ekipmanları gibi RF sistemlerinde kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 10 mA
Current Rating (Amps) 15mA
Frequency 20GHz
Gain 13.5dB
Noise Figure 0.7dB
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Part Status Obsolete
Supplier Device Package S03
Transistor Type HFET
Voltage - Rated 4 V
Voltage - Test 2 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok