Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3516S02-T1C-A
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3516
NE3516S02-T1C-A Hakkında
NE3516S02-T1C-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen GaAs HJ-FET (Heterostructure Junction Field Effect Transistor) RF transistörüdür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 12GHz frekans aralığında çalışır ve 14dB kazanç sağlar. 0.35dB düşük gürültü figürü ile düşük gürültü uygulamalarında kullanılır. 4V rated voltage ve 165mW çıkış gücü ile RF amplifikasyon, LNA (Low Noise Amplifier) devreleri ve uydu haberleşme uygulamalarında yer alır. SMD pakette sunulan komponent, kompakt RF tasarımlarında tercih edilir. Part status Obsolete olduğu için yeni tasarımlarda yerine geçen alternatif modeller kontrol edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 60mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 14dB |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 165mW |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok