Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3516S02-A
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3516S02
NE3516S02-A Hakkında
NE3516S02-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen N-Channel GaAs HJ-FET RF transistörüdür. 4-SMD flat leads paketinde sunulan bu bileşen, 12 GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 4V nominal gerilim değeri ile 60mA akım kapasitesine sahiptir. 14dB kazanç ve 0.35dB gürültü figürü özellikleri ile düşük gürültü RF uygulamalarında kullanılır. 165mW çıkış gücü kapasitesi ile küçük sinyal ve orta güçlü RF devrelerinde, ön uçları ve amplifikatör tasarımlarında uygulanır. Yüksek frekans haberleşme, radar ve test cihazları gibi uygulamalar için tercih edilir. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 60mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 14dB |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 165mW |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok