Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3515S02-T1C-A
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3515
NE3515S02-T1C-A Hakkında
NE3515S02-T1C-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen heteroepitaksiyel FET (HFET) RF transistörüdür. 12GHz çalışma frekansı, 12.5dB kazanç ve 0.3dB düşük gürültü figürü ile düşük gürültü amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4V nominal gerilim ve 88mA maksimum akım ile çalışan bu bileşen, 2V test geriliminde 10mA akım çekmektedir. 14dBm çıkış gücü ile MM-wave ve satelit haberleşme sistemlerinde, alıcı ön-amplifikasyonlarında ve düşük gürültü amplifikatör tasarımlarında uygulanır. S02 SMD paket ile yüksek frekans devrelerine entegre edilir. (Üretimi durdurulmuş ürün)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 88mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Noise Figure | 0.3dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 14dBm |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok