Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3515S02-T1C-A
SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3515S02
NE3515S02-T1C-A Hakkında
NE3515S02-T1C-A, CEL tarafından üretilen super düşük gürültü pseudomorphic HFET transistörüdür. 12GHz çalışma frekansında 0.3dB gürültü figürü ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. 12.5dB kazanç ve 14dBm çıkış gücü özellikleri ile özellikle düşük gürültülü amplifikatör tasarımlarında tercih edilir. 4-SMD düz bacak paketi ile PCB montajına uygundur. Test koşullarında 2V gerilim ve 10mA akım değerlerine sahiptir. Haberleşme, radar ve uydu haberleşme sistemlerinin alıcı aşamalarında uygulanabilir. Bileşen üretimi durdurulmuştur; stok kontrol önemlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 88mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Noise Figure | 0.3dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 14dBm |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok