Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3515S02-A
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3515
NE3515S02-A Hakkında
NE3515S02-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen bir HFET (Heterostructure Field Effect Transistor) RF transistörüdür. 12GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanan bu komponent, düşük gürültü figürü (0.3dB) ve 12.5dB kazanç özellikleriyle RF ön uç uygulamalarında kullanılır. 2V test voltajında 10mA test akımı ile karakterize edilen cihaz, 4V nominal çalışma voltajında 88mA akım kapasitesine sahiptir. S02 SMD paket tipinde sunulan transistör, düşük seviye sinyal amplifikasyonu gerektiren uygulamalarda, özellikle mikrodalgalı haberleşme, radar sistemleri ve uydu iletişim cihazlarında kullanıldığı bilinmektedir. Cihaz halen piyasada temin edilememekle birlikte arşiv uygulamalarına ve ürün onarım işlerine konu olabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 88mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Noise Figure | 0.3dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 14dBm |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok