Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3514S02-T1C-A
HJ-FET NCH 10DB S02
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3514S02
NE3514S02-T1C-A Hakkında
NE3514S02-T1C-A, California Eastern Laboratories (CEL) tarafından üretilen N-channel HFET (Heterojunction Field Effect Transistor) transistördür. 20GHz frekans aralığında çalışan bu RF transistörü, 10dB kazanç ve 0.75dB gürültü figürü ile düşük gürültülü uygulamalar için tasarlanmıştır. 4V nominal çalışma gerilimi ve 70mA akım kapasitesi ile mikrodalga amplifikatörleri, ön uç alıcıları ve geniş bant RF uygulamalarında kullanılır. S02 paket biçiminde sunulan komponent, SMD montaj tekniğine uygun flat lead tasarımına sahiptir. Yaşlı üretim teknolojisine sahip olup (Obsolete status), miras tasarımlar için referans değeri taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 20GHz |
| Gain | 10dB |
| Noise Figure | 0.75dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok