Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3514S02-A
HJ-FET NCH 10DB S02
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3514S02
NE3514S02-A Hakkında
NE3514S02-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen N-channel HFET (Heterojunction Field Effect Transistor) transistördür. 20GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmış bu komponent, RF ve mikrodalga uygulamalarında düşük gürültü amplifikasyon sağlar. 10dB kazanç ve 0.75dB noise figure ile düşük gürültü figürü gerektiren sensör öncü kademeleri, LNA (Low Noise Amplifier) ve alıcı (receiver) devrelerinde kullanılır. 4V nominal çalışma gerilimi ve 70mA maksimum akım kapasitesi ile kompakt RF devreleri için uygundur. S02 SMD paket ile yüksek entegrasyon yoğunluğu sağlar. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 20GHz |
| Gain | 10dB |
| Noise Figure | 0.75dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok