Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3513M04-T2B-A
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3513M04
NE3513M04-T2B-A Hakkında
NE3513M04-T2B-A, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel GaAs HJ-FET transistördür. 12GHz frekans aralığında çalışmaya tasarlanan bu RF transistörü, 60mA akım kapasitesi, 13dB kazanç ve 0.65dB gürültü figürü ile frekans modülasyon ve yüksek frekans amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 125mW çıkış gücüne sahip ve 4V nominal voltajda çalışan bileşen, mikro dalga haberleşme sistemleri, radar alıcıları ve RF ön kuvvetlendiricilerde uygulanır. 4-SMD düz kulaçlı paketleme ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 60mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13dB |
| Noise Figure | 0.65dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 125mW |
| Supplier Device Package | 4-Super Mini Mold |
| Transistor Type | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok