Transistörler - FET, MOSFET - RF

NE3513M04-T2-A

FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Paket/Kılıf
SOT-343F
Seri / Aile Numarası
NE3513

NE3513M04-T2-A Hakkında

NE3513M04-T2-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen N-Channel GaAs HJ-FET transistördür. 4V nominal çalışma voltajında 12GHz frekans bandında kullanılan bu bileşen, düşük gürültü özelliği (0.65dB) ve 13dB kazanç ile RF ve mikrodalgaŞ amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 60mA akım kapasitesi ve 125mW çıkış gücü ile küçük sinyal RF ön amplifikatörleri, düşük gürültü uygulamaları ve RF alıcı devreleri için tasarlanmıştır. SOT-343F paket tipi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygunlaşır. Dönem sonu (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 10 mA
Current Rating (Amps) 60mA
Frequency 12GHz
Gain 13dB
Noise Figure 0.65dB
Package / Case SOT-343F
Part Status Obsolete
Power - Output 125mW
Supplier Device Package M04
Transistor Type N-Channel GaAs HJ-FET
Voltage - Rated 4 V
Voltage - Test 2 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok