Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3512S02-T1D-A
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3512S02
NE3512S02-T1D-A Hakkında
NE3512S02-T1D-A, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-channel MOSFET transistördür. HFET (Heterojunction FET) teknolojisine dayalı bu RF transistörü, 12GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 13.5dB kazanç ve 0.35dB gürültü figürü ile düşük gürültülü RF ön uç uygulamalarında kullanılır. 70mA maksimum akım kapasitesi ve 4V çalışma voltajı ile kompakt SMD paketi, entegre RF devrelerinde ve yüksek frekanslı sinyal işleme uygulamalarında yer alır. 2V test voltajında 10mA test akımında karakterize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok