Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3512S02-T1C-A
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3512
NE3512S02-T1C-A Hakkında
NE3512S02-T1C-A, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-channel HFET (Heterojunction FET) transistörüdür. 12GHz frekansında çalışabilen bu RF transistörü, 13.5dB kazanç ve 0.35dB gürültü figürü ile radyo frekans uygulamalarında kullanılır. 4V nominal voltajda 70mA akım kapasitesine sahiptir. 4-SMD düz uçlu paketinde tasarlanmış olan bileşen, yüksek frekans amplifikatörleri, LNA (Low Noise Amplifier) devreleri ve RF ön uç sistemlerinde yer alır. 2V test voltajında 10mA test akımında karakterize edilmiştir. Yerleşim yüksekliği minimal olan SMD paketleme, kompakt RF devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok