Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3512S02-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3512
NE3512S02-A Hakkında
NE3512S02-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NCH tipinde bir HFET (Heterostructure Field Effect Transistor) RF transistörüdür. 12GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 13.5dB kazanç ve 0.35dB gürültü şekli (noise figure) ile karakterize edilir. 70mA maksimum akım derecelendirmesi ve 4V nominal gerilim ile tasarlanmıştır. S02 SMD paketlemesiyle sunulan bu transistör, RF ve mikrodalga amplifikatör uygulamalarında, özellikle düşük gürültü preamplifier devreleri ve frekans çoğaltıcı tasarımlarında kullanılır. Bileşen üretimi sonlandırılmış (Obsolete) olup, stok kontrol kapsamında yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok