Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3511S02-T1C-A
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3511
NE3511S02-T1C-A Hakkında
NE3511S02-T1C-A, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-kanal MOSFET transistördür. HFET (Heterojunction FET) teknolojisine dayanarak tasarlanmış olan bu bileşen, RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmaktadır. 12GHz frekans aralığında çalışabilen transistör, 13.5dB kazanç ve 0.3dB gürültü şekli ile düşük gürültü RF amplifikatörleri, ön uçları ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 70mA akım kapasitesi ve 4V nominal çalışma gerilimi ile karakterize edilmiştir. 4-SMD Flat Leads paketlemesi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun kompakt bir çözüm sunar. Bu bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Noise Figure | 0.3dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok