Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3511S02-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3511S02
NE3511S02-A Hakkında
NE3511S02-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen N-kanalı HFET (Heterojunction Field Effect Transistor) RF transistörüdür. 12GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 13.5dB kazanç ve 0.3dB gürültü şekli sunmaktadır. 70mA maksimum akım desteği ile düşük gürültü RF ön-amplifikatörleri, alıcı sistemleri ve radyo frekans haberleşme uygulamalarında kullanılır. 4V nominal çalışma gerilimi ile tasarlanan transistör, 4-pin SMD düz uçlu kasa tipiyle monte edilir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Noise Figure | 0.3dB |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | S02 |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok