Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3210S01-T1B
FET RF 4V 12GHZ S01
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3210S01
NE3210S01-T1B Hakkında
NE3210S01-T1B, California Eastern Laboratories tarafından üretilen HFET tipi RF transistördür. 12GHz çalışma frekansında, 4V nominal voltajda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 13.5dB kazanç ve 0.35dB gürültü figürü ile düşük gürültü RF uygulamalarında yer alır. 15mA maksimum akım derecelendirmesine sahiptir. 4-SMD paket içinde gelmektedir. Yüksek frekans amplifikatörü ve düşük gürültü öncü (LNA) devrelerinde kullanılan bu bileşen, mikrodalga ve uydu haberleşme sistemlerinde yer bulur. Bileşen artık üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 15mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Package / Case | 4-SMD |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | SMD |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok