Transistörler - FET, MOSFET - RF
NE3210S01
FET RF 4V 12GHZ S01
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NE3210S01
NE3210S01 Hakkında
NE3210S01, California Eastern Laboratories tarafından üretilen HFET tipinde RF FET transistördür. 12GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, düşük gürültü figürü (0.35dB) ve 13.5dB kazanç karakteristiğine sahiptir. 4V rated voltaj ile ve SMD paketlemede sunulan komponent, RF amplifikatör uygulamalarında, özellikle 12GHz band alıcı ve verici devrelerinde kullanılır. Maksimum 15mA akım değeri ile tasarlanan NE3210S01, yüksek frekanslı haberleşme sistemleri, uydu iletişimi ve mikrodalgaları işlemeli uygulamalarda tercih edilir. Devre tasarımında 2V test voltajı referans olarak kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 15mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Package / Case | 4-SMD |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | SMD |
| Transistor Type | HFET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok