Transistörler - FET, MOSFET - RF

NE25139-T1

FET RF 13V 900MHZ SOT-143

Paket/Kılıf
TO-253-4
Seri / Aile Numarası
NE25139

NE25139-T1 Hakkında

NE25139-T1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen bir MESFET Dual Gate RF transistörüdür. 900MHz frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmış olan bu bileşen, 13V nominal çalışma voltajında ve 40mA akım kapasitesinde sunulur. 20dB kazanç ve 1.1dB düşük gürültü figürü ile RF preamplifier, LNA (Low Noise Amplifier) ve diğer RF sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. TO-253-4 (SOT-143) paket türünde sunulan komponent, mobil iletişim, kablosuz haberleşme ve RF alıcı devrelerinde yer alır. Part status obsolete olup, yeni tasarımlarda yerine alternatif çözümler incelenmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 10 mA
Current Rating (Amps) 40mA
Frequency 900MHz
Gain 20dB
Noise Figure 1.1dB
Package / Case TO-253-4, TO-253AA
Part Status Obsolete
Supplier Device Package SOT-143
Transistor Type MESFET Dual Gate
Voltage - Rated 13 V
Voltage - Test 5 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok