Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9959
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NDS9959
NDS9959 Hakkında
NDS9959, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistör dizisidir. 50V Drain-Source voltaj toleransı ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount pakette sunulan NDS9959, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, sürücü aplikasyonları ve anahtarlama power supply tasarımlarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 900mW maksimum güç yayabilen bu transistör, kompakt devre tasarımları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok