Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9959
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
NDS9959 Hakkında
NDS9959, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 300mOhm on-state direnç (RDS On) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Entegre dual yapısı sayesinde tek pakette iki MOSFET sunarak PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok