Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9957
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
NDS9957 Hakkında
NDS9957, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltaj değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, 2.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleri ile çalışabilmektedir. 160mOhm (10V, 2.6A koşullarında) düşük on-state direnci ve 900mW maksimum güç dissipasyonu ile motor kontrolleri, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve genel amaçlı dijital mantık uygulamalarında kullanılabilir. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar için uygun seçenektir. Başlangıç eşik gerilimi (Vgs(th)) maksimum 3V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok