Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9953A
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
NDS9953A Hakkında
NDS9953A, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate kontrolü özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 900mW güç tüketebilir. Maksimum 130mOhm on-resistance (Rds) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Gate şarj (Qg) 25nC ve input kapasitanı 350pF olan bu dual MOSFET, güç yönetimi, load switching ve analog sinyal kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. Logic level gate kontrolü sayesinde düşük gerilim sürücü devrelerle doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok