Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9953A
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NDS9953A
NDS9953A Hakkında
NDS9953A, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel Power MOSFET transistörleridir. 30V drain-source voltaj ile 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, logic level gate uygulamaları için tasarlanmıştır. 130mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlayan NDS9953A, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Surface mount 8-SOIC pakajında sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 900mW maksimum güç harcamasına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok