Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9952A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NDS9952A
NDS9952A Hakkında
NDS9952A, Rochester Electronics tarafından üretilen ve Surface Mount paketinde sunulan bir Power MOSFET dizi bileşenidir. N-Channel ve P-Channel transistörleri içeren bu komponent, 30V Drain-Source gerilimi ve 3.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışır. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim kontrolünde kullanılabilir. 80mOhm'luk RDS(on) değeri ve 900mW maksimum güç dağılımı, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. 8-SOIC paketinde sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A, 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok