Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NDS9952A-F011

MOSFET N/P-CH 30V

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NDS9952A

NDS9952A-F011 Hakkında

NDS9952A-F011, onsemi tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizisidir. 30V Drain to Source voltaj yeteneği ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi, 80mOhm on-resistance ve 900mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal kontrol devrelerinde, lojik seviye geçişlerinde ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında yer alır. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Halen üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok