Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9952A
MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC
NDS9952A Hakkında
NDS9952A, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET entegre devresidir. Bir pakette N-kanallı ve P-kanallı MOSFET transistörlerini içerir. 30V Drain-Source gerilim toleransıyla ve 3.7A (N-Ch) / 2.9A (P-Ch) sürekli dren akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 8-SOIC SMD paketinde sunulan bu bileşen, 900mW maksimum güç tüketimi ve 80mOhm RDS(on) değeriyle düşük kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürme devreleri ve lojik seviyeleri kontrolü gereken uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A, 2.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok