Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS9933A
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NDS9933A
NDS9933A Hakkında
NDS9933A, Rochester Electronics tarafından üretilen çift P-kanal power MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 140mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, özellikle mobil cihazlar, güç kaynakları ve portatif elektronik sistemlerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 900mW güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok