Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS8961
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
NDS8961 Hakkında
NDS8961, onsemi tarafından üretilen çift N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile 3.1A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde iki adet N-channel MOSFET barındırır. 100mΩ maksimum kanal direnci (RDS On) ve 10nC kapı yükü ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve dijital mantık seviyesi kontrol gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok