Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NDS8961
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NDS8961
NDS8961 Hakkında
NDS8961, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliği ile 10V'da açılabilen bu bileşen, 30V drain-source voltajına kadar çalışabilir. 3.1A sürekli dren akımı ve 100mOhm (10V, 3.1A'da) on-state direnci ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç derecelendirmesi ile entegre devreler, LED sürücüleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Halen üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok