Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NDS8958

MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NDS8958

NDS8958 Hakkında

NDS8958, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-kanal ve P-kanal MOSFET'leri içeren bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ile çalışabilir. N-kanal versiyonu 5.3A, P-kanal versiyonu 4A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, düşük gate eşik gerilimi (2.8V @ 250µA) ile kontrol devreleri ve switching uygulamalarında kullanılır. 35mOhm'luk düşük Rds(On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Endüstriyel elektronik, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A, 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok