Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NDS8947

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NDS8947

NDS8947 Hakkında

NDS8947, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajına ve 4A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, logic level gate kontrolü ile çalışmaktadır. 65mOhm (10V, 4A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlama kapasitesine sahiptir. Maksimum 900mW güç dağıtım kapasitesi ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok