Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NDS8936

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NDS8936

NDS8936 Hakkında

NDS8936, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle, 35mOhm on-resistance değerine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip bu komponent, 2.8V gate threshold voltajı ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılabilir. 8-SOIC SMD paketinde sunulan NDS8936, motor kontrol, LED sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 900mW maksimum güç tüketim kabiliyetine sahip olan bu transistör, verimli ve kompakt tasarımlar için uygundur. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok